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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NGTB30N60FLWG 

产品描述

IGBT 600V 60A 250W TO247

内部编号

277-NGTB30N60FLWG

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:111
1+¥23.4232
25+¥21.7281
100+¥20.8805
500+¥20.033
1000+¥19.0314
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:131
1+¥30.6222
10+¥20.4148
100+¥20.4148
250+¥20.4148
500+¥10.2074
1000+¥10.2074
最小起订量:1
英国伦敦
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:127
最小起订量:1
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NGTB30N60FLWG产品详细规格

规格书 NGTB30N60FLWG
NGTB30N60FLWG datasheet 规格书
栅极电荷 170nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 60A
安装类型 Through Hole
标准包装 30
开关能量 700µJ (on), 280µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 83ns/170ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.9V @ 15V, 30A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247
反向恢复时间(trr ) 72ns
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
测试条件 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
IGBT类型 Trench and Field Stop
其他名称 NGTB30N60FLWGOS
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 120A
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
集电极 - 发射极饱和电压 1.65 V
连续集电极电流在25 C 60 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 250 W
最大栅极发射极电压 30 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
DC Collector Current :60A
Collector Emitter Voltage Vces :1.65V
功耗 :167W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-247
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
晶体管类型 :IGBT
Weight (kg) 0.00542
Tariff No. 85412900
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
associated FK 245 MI 247 H
FK 243 MI 247 V

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